Caracterizaciòn del c-Si y estimación del gap óptico a través de medidas de transmisión con led convencionales de bajo coste

Caracterizaciòn del c-Si y estimación del gap óptico a través de medidas de transmisión con led convencionales de bajo coste

Kelvin Beleño 1,2., Torres Ivaldo 2., Diaz Jorge L3

1 Departamento de IEETS, Facultad de Ingenierías y Arquitecturas, Universidad de Pamplona. Pamplona- Colombia.

2Grupo LOGOS. Departamento de IEETS, Facultad de Ingenierías y Arquitecturas, Universidad de Pamplona. Pamplona-Colombia.

3Grupo A&C, Departamento de IEETS, Facultad de Ingenierías y Arquitecturas, Universidad de Pamplona. Pamplona- Colombia.

Resumen

Este trabajo trata de la caracterización del substrato de silicio cristalino (c-Si) y la determinación del Gap óptico a través de medidas de transmisión y reflexión utilizando un equipo de medida óptica que emplea Led’s convencionales de bajo costo de adquisición diseñado en la Universidad de Pamplona. En el equipo diseñado para realizar las medidas transmisión óptica se utilizaron cinco Led’s convencionales de bajo costo de adquisición de espectros de longitudes de ondas que varían entre el violeta (300nm) hasta el infrarrojo (900 nm). Para realizar los experimentos se utilizaron obleas de silicio cristalino (c-Si) tipo p de 200 y 300 um de grosor pulida por ambas caras con orientación cristalográfica <100>. Con medidas de transmisión y reflexión se calculó la absorción del material semiconductor y se estimó el valor del Gap óptico comparándose con resultados obtenidos por otros autores. Demostrando que es posible utilizar elementos convencionales de bajo consumo de energía y bajo coste de adquisición en la fabricación de sistemas de caracterización que involucran medidas ópticas complejas combinando variables como la temperatura.

Palabras claves: Silicio Cristalino, Absorción, Transmisión, Reflexión, Gap Óptico, Led Convencional

The estimate of the optic gap done through transmission measurements with low cost conventional led

Abstract

This work deals with the characterization of the substrate of crystalline silicon (c-Si) and the determination of the optical-gap through the measurement of transmission and reflection using an optical calculation equipped with a conventional low cost LED device designed at the University of Pamplona in Colombia. The equipment designed for measuring optical transmission used five conventional LED devices with wavelengths in the spectrum ranging from violet (300nm) to infrared (900 nm). These experiments used samples of crystalline silicon (in the shape of wafers) (c-Si) p-type 200 and 300 um-thick, polished on both sides with crystallographic orientation <100>. With transmission and reflection measurements the absorption of semiconductor material was calculated and optical-gap values are estimated and compared with results obtained through existing literature; this shows that you can use conventional elements of low energy consumption in the manufacture of characterized systems that involve complex optical measurements combining variables such as the temperature.

Key words: Crystalline silicon, Absorption, Transmission, Reflection, Spectroscopy, Optical GAP, Conventional LED